经过多次曝光之后，大神@OnLeaks放出了三星新旗舰Galaxy S9 Plus的工厂CAD图以及和S8 Plus的详细对比，详细展示了新老旗舰的异同。

　　从对比图来看，三星S9 Plus基本延续了S8 Plus的外形设计，仅在细节部分有所调整。其中，S9 Plus的听筒更窄，上额头细微变窄，下边框缩减较为明显。

　　不过，由于采用了新的相机模组，S9 Plus的机身竟然要比S8 Plus还略微厚一些，二者两侧边框宽度基本一致。彩票开奖查询

　　另外一大变化是，三星S9、S9 Plus将后置指纹挪到了摄像头下方，更加符合人体工学，不易误触。

　　至于电池容量，暂时还未确认。根据此前消息，S9为3000mAh，S9 Plus为3500mAh。

　　三星S9 Plus屏幕增加到6.2英寸，6GB内存，背部为1200万像素双摄。

　　据悉，三星S9、S9 Plus国行版本将于3月6日开卖，起步价预计6000元左右。

　　在英特尔与三星相继发布公司财报后，三星推翻了英特尔25年的霸主地位，成为了全球最大的芯片制造商。

　　根据三星公布的2017年年终财报，其在2017年的总收入达到了690亿美元，超过了英特尔的628亿美元的数据，要知道英特尔近年来也没闲着，与2016年相比其2017年的收入也增长了6%。

　　英特尔从92年开始就是全球最大的芯片制造商，但三星得益于内存芯片、移动设备芯片强势，超越了x86芯片巨头Intel，目前Intel全球PC芯片占有率超过了9成，公司目前正在发力移动领域。

　　2018年，三星将在云服务与人工智能、汽车芯片领域发力，三星称未来在手机领域的重点是Bixby AI助手以及5G技术。

　　由于UFS的最大优势就是双通道双向读写，所以接口带宽最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。

　　互联层设计方面，严格遵守MIPI（移动产业处理器接口）的规范协议，其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1，传输层依据MIPI UniProSM v1.8。

　　其它方面，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升，电压2.5V，支持最新的NAND Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。

　　至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。

　　另外，三星已经宣布，将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口，所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。