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三星S9 Plus工厂CAD图曝光Intel地位要不保了

发布时间:2021-02-16 20:37

  经过多次曝光之后,大神@OnLeaks放出了三星新旗舰Galaxy S9 Plus的工厂CAD图以及和S8 Plus的详细对比,详细展示了新老旗舰的异同。

  从对比图来看,三星S9 Plus基本延续了S8 Plus的外形设计,仅在细节部分有所调整。其中,S9 Plus的听筒更窄,上额头细微变窄,下边框缩减较为明显。

  不过,由于采用了新的相机模组,S9 Plus的机身竟然要比S8 Plus还略微厚一些,二者两侧边框宽度基本一致。彩票开奖查询

  另外一大变化是,三星S9、S9 Plus将后置指纹挪到了摄像头下方,更加符合人体工学,不易误触。

  至于电池容量,暂时还未确认。根据此前消息,S9为3000mAh,S9 Plus为3500mAh。

  三星S9 Plus屏幕增加到6.2英寸,6GB内存,背部为1200万像素双摄。

  据悉,三星S9、S9 Plus国行版本将于3月6日开卖,起步价预计6000元左右。

  在英特尔与三星相继发布公司财报后,三星推翻了英特尔25年的霸主地位,成为了全球最大的芯片制造商。

  根据三星公布的2017年年终财报,其在2017年的总收入达到了690亿美元,超过了英特尔的628亿美元的数据,要知道英特尔近年来也没闲着,与2016年相比其2017年的收入也增长了6%。

  英特尔从92年开始就是全球最大的芯片制造商,但三星得益于内存芯片、移动设备芯片强势,超越了x86芯片巨头Intel,目前Intel全球PC芯片占有率超过了9成,公司目前正在发力移动领域。

  2018年,三星将在云服务与人工智能、汽车芯片领域发力,三星称未来在手机领域的重点是Bixby AI助手以及5G技术。

  由于UFS的最大优势就是双通道双向读写,所以接口带宽最高23.2Gbps,也就是2.9GB/s。

  互联层设计方面,严格遵守MIPI(移动产业处理器接口)的规范协议,其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1,传输层依据MIPI UniProSM v1.8。

  其它方面,UFS 3.0支持的分区增多(UFS 2.1是8个),纠错性能提升,电压2.5V,支持最新的NAND Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶,工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。

  至于UFS存储卡v1.1,则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容,这样存储速度就达到最高1.5GB/s。

  另外,三星已经宣布,将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口,所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件,暂不得而知。

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